金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“在封装衬底中的金属结构中具有空隙限定区段以减小管芯-衬底天博tb机械应力的半导体管芯模块封装件及相关方法“，公开号CN117836937A，申请日期为2022年7月。

　　专利摘要显示，在封装衬底中的金属结构中具有空隙限定区段以减小管芯‑衬底天博tb机械应力的半导体管芯模块封装件及相关制造方法。为了减小该封装衬底与该管芯模块封装件的管芯之间的管芯‑衬底天博tb机械应力，在该封装衬底的金属化层中的金属结构中形成空隙限定区段。该空隙限定区段由该金属结构的金属材料在限定区域中的一个或多个切口形成以降低刚度，这也具有减小该封装衬底的有效热膨胀系数(CTE)的效果。保留在空隙限定区段中的金属切口之间的该金属材料形成金属互连件。管芯互连件可以将管芯直接耦合到该金属结构中的该空隙限定区段中的该金属互连件，以减小该管芯与管芯互连件到该封装衬底之间的天博tb机械应力天博tb。